[发明专利]一种ZP3KD软磁铁氧体材料及其生产方法有效
| 申请号： | 201310259886.7 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103351159A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李前军;沈建元;王晓祥;陆明兵;徐升宝;王步猛;陈维兆;蒲成刚;张恩明;王久如;屠德义 | 申请（专利权）人： | 天长市中德电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 239300 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZP3KD软磁铁氧体材料及其生产方法，该材料配方组成与组成含量为：氧化铁：52.2～53.5mol%；氧化锰：35.0～35.9mol%；氧化锌：10.9～11.6mol%；氧化硅：20～60ppm；氧化钙：200～500ppm；氧化铌：200～400ppm；氧化钴：500～1000ppm；氧化钒：100～200ppm。本发明的ZP3KD软磁铁氧体材料，初始导磁率为2950左右，磁芯损耗100℃时在400KW/m3，都能满足顾客要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zp3kd 磁铁 材料 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种ZP3KD软磁铁氧体材料，其特征在于，配方组成与组成含量为：氧化铁： 52.2～53.5mol%；氧化锰： 35.0～35.9mol%；氧化锌： 10.9～11.6mol%；氧化硅： 20～60ppm；氧化钙： 200～500ppm；氧化铌： 200～400ppm；氧化钴： 500～1000ppm；氧化钒： 100～200ppm。
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