[发明专利]工业磁电纳米位移传感器在审
| 申请号： | 201310258313.2 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104251655A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李新华 | 申请（专利权）人： | 昆山科致瑞斯传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 郭俊玲 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工业磁电纳米位移传感器，包括设置在机构本体上通过数据线依次连接的磁场发生模块、前级信号处理及放大电路、信号放大与转换电路和输出信号转换接口，且信号放大与转换电路上还连接一信号处理与程序存储器，所述输出信号转换接口通过电缆与外部电源连接，本发明的工业磁电纳米位移传感器分辨率高，安装使用简单，数字化、智能化、价格低、免维护，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 工业 磁电 纳米 位移 传感器 | ||
【主权项】：
一种工业磁电纳米位移传感器，包括设置在机构本体(1)上通过数据线依次连接的磁场发生模块(2)、前级信号处理及放大电路(3)、信号放大与转换电路(4)和输出信号转换接口(5)，且信号放大与转换电路(4)上还连接一信号处理与程序存储器(6)，所述输出信号转换接口(5)通过电缆(7)与外部电源连接，其特征在于：所述磁场发生模块(2)由第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)组成，所述第二磁场发生元件(9)固定于机构本体(1)的一平面上，所述第一磁场发生元件(8)设于机构本体(1)外的一直线平面上，且第一磁场发生元件(8)沿着直线平面方向相对于第二磁场发生元件(9)做相对移动，第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)之间设有间隙。
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