[发明专利]工业磁电纳米位移传感器在审
申请号: | 201310258313.2 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104251655A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 李新华 | 申请(专利权)人: | 昆山科致瑞斯传感技术有限公司 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 郭俊玲 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工业 磁电 纳米 位移 传感器 | ||
1.一种工业磁电纳米位移传感器,包括设置在机构本体(1)上通过数据线依次连接的磁场发生模块(2)、前级信号处理及放大电路(3)、信号放大与转换电路(4)和输出信号转换接口(5),且信号放大与转换电路(4)上还连接一信号处理与程序存储器(6),所述输出信号转换接口(5)通过电缆(7)与外部电源连接,其特征在于:所述磁场发生模块(2)由第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)组成,所述第二磁场发生元件(9)固定于机构本体(1)的一平面上,所述第一磁场发生元件(8)设于机构本体(1)外的一直线平面上,且第一磁场发生元件(8)沿着直线平面方向相对于第二磁场发生元件(9)做相对移动,第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)之间设有间隙。
2.根据权利要求1所述的工业磁电纳米位移传感器,其特征在于:所述第一磁场发生元件(8)和第二磁场发生元件(9)由稀土元素材料制成。
3.根据权利要求1所述的工业磁电纳米位移传感器,其特征在于:所述输出信号转换接口(5)包括并联设置的同步串行接口、增量电路接口、脉宽调制接口、双向同步串行结构、串行外设接口和数模转换接口。
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