[发明专利]移位寄存器电路、电光装置及电子设备

摘要

本发明涉及移位寄存器电路、电光装置及电子设备。移位寄存器具备奇数级的第一种D锁存器（DL1）和偶数级的第二种D锁存器（DL2）。第一种D锁存器（DL1）的传送门（PG）和第二种D锁存器（DL2）的存储控制器（MC）包括第一导电型晶体管，第一种D锁存器（DL1）的存储控制器（MC）和第二种D锁存器（DL2）的传送门（PG）包括第二导电型晶体管。

主权项

一种移位寄存器电路，其特征在于：具有p个D锁存器和时钟线，所述p为2以上的整数；所述p个D锁存器的各自具备本地输入部和本地输出部，第i级D锁存器的本地输出部和第i+1级D锁存器的本地输入部电连接，所述i为1以上且p－1以下的整数；所述p个D锁存器的各自至少包括传送门和2k个反相器和存储控制器，在所述本地输入部与所述本地输出部之间所述传送门和所述2k个反相器串联地电连接，在所述传送门与所述本地输出部之间所述存储控制器与所述2k个反相器并联地电连接，所述传送门的控制电极和所述存储控制器的控制电极电连接于所述时钟线，所述k为1以上的整数；所述p个D锁存器的奇数级为第一种D锁存器，所述p个D锁存器的偶数级为第二种D锁存器；所述第一种D锁存器的传送门包括第一导电型晶体管，所述第一种D锁存器的存储控制器包括第二导电型晶体管；所述第一导电型晶体管为N型晶体管，所述第二导电型晶体管为P型晶体管；所述第二种D锁存器的传送门包括第二导电型晶体管，所述第二种D锁存器的存储控制器包括第一导电型晶体管；所述p个D锁存器由所述时钟线所供给的单相时钟信号驱动；当所述单相时钟信号为有效时，所述第一种D锁存器的传送门使新数据通过，所述第一种D锁存器的2k个反相器作为缓冲电路而起作用，而所述第二种D锁存器的传送门使新数据截止，所述第二种D锁存器的2k个反相器作为存储电路而起作用，当所述单相时钟信号为无效时，所述第二种D锁存器的传送门使新数据通过，所述第二种D锁存器的2k个反相器作为缓冲电路而起作用，而所述第一种D锁存器的传送门使新数据截止，所述第一种D锁存器的2k个反相器作为存储电路而起作用；所述第一种D锁存器为有效的期间比所述第二种D锁存器为有效的期间短。