[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310249910.9 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN104241359B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴宜静;黄志森;洪庆文 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作方法首先提供一基底，该基底上形成有至少一第一晶体管，具有一第一导电类型，且该第一晶体管包含有一第一金属栅极与一覆盖该第一金属栅极的侧壁的保护层。接下来，移除部分该第一金属栅极以形成一第一凹槽以暴露出部分该保护层，并且在形成该第一凹槽之后移除暴露的该保护层以形成一第二凹槽。在形成该第二凹槽之后，于该第二凹槽内形成一蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极 保护层 基底 移除 制作 第一导电类型 半导体结构 半导体元件 蚀刻停止层 晶体管 暴露 侧壁 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底上形成有至少一第一晶体管，具有第一导电类型，且该第一晶体管包含有第一金属栅极与覆盖该第一金属栅极的侧壁的保护层；移除部分该第一金属栅极以形成一第一凹槽，且该保护层自该第一凹槽的侧壁暴露出来；侧向移除暴露的部分该保护层以形成一第二凹槽，其中该第二凹槽的宽度大于该第一凹槽的宽度，该第二凹槽的深度等于该第一凹槽的深度；以及于该第二凹槽内形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层的宽度大于该第一金属栅极的宽度。
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