[发明专利]一种提高取向硅钢磁导率的装置及方法

摘要

本发明一种提高取向硅钢磁导率的装置及方法，属于材料技术领域；该装置包括PC机、第一位移传感器、第二位移传感器、动力箱、支撑架、液压滑台、刻痕棒和刻痕球；本发明通过设置目标刻痕深度和刻痕间距，并根据上述参数，采用刻痕球对取向硅钢板的表面绝缘涂层进行横向均匀分割；使得磁导率大幅增加，在不影响磁屏蔽效果的情况下，减少屏蔽层厚度，可降低生产成本，提高材料的使用效率；与现有的激光刻痕法相比，能在保证磁屏蔽效果的前提下大大降低了损坏涂层所产生的漏磁现象，更加满足了磁屏蔽用硅钢的工业使用需求。

主权项

一种提高取向硅钢磁导率的装置，包括PC机、第一位移传感器、第二位移传感器，其特征在于：还包括动力箱、支撑架、液压滑台、刻痕棒和刻痕球，其中，PC机的输入端连接第一位移传感器的输出端和第二位移传感器的输出端，第一位移传感器的输入端和第二位移传感器的输入端连接动力箱的输出端，所述的动力箱的一侧设置有液压滑台，动力箱下端设置有支撑架，所述的液压滑台的一端设置有刻痕棒，刻痕棒下端设置有刻痕球；所述的PC机内包括刻痕间距控制器和刻痕力控制器。