[发明专利]一种漏电缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201310242074.1 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104237719A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 赵宁;吴浩;田唯磊;戴腾;任保军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种漏电缺陷检测方法,先利用正电荷模式的电压对比度检测得到具有高清晰度BVC的第一电压对比度图像，捕捉半导体样品中潜在的漏电缺陷位置，再通过负电荷模式的电压对比度检测对BVC的位置再次扫描得到第二电压对比度图像，通过第二电压对比度图像的DVC对BVC进行筛选并得到准确的BVC分类，得到高纯度高危险的漏电缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种漏电缺陷检测方法，提供一待测的半导体样品，其特征在于，该方法包括：首先采用第一聚焦电子束对所述半导体样品进行正电荷模式的电压对比度检测，根据形成的第一电压对比度图像，记录可能存在漏电缺陷的位置，在去除所述半导体样品表面的正电荷后，再采用第二聚焦电子束对所述可能存在漏电缺陷的位置进行负电荷模式的电压对比度检测，根据形成的第二电压对比度图像筛选漏电缺陷。
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