[发明专利]具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310240641.X | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103331162A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王永霞;崔香枝;施剑林;陈立松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B01J23/75 | 分类号： | B01J23/75;H01M4/90 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料及其制备方法，所述方法包括：将包含钴源和碳源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合搅拌直至溶剂挥干，以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物；将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/C/模板复合物；以及用强酸或强碱去除所述Co3O4/C/模板复合物中的模板以制得所述介孔Co3O4/C复合材料。本发明的方法以具有Ia3d结构的介孔二氧化硅（KIT-6）为模板，通过简单的一步纳米灌注的方式将钴源和碳源前驱液浇注到模板的介孔孔道中，通过一定的热处理条件制备出高比表面积及孔径分布较窄的介孔Co3O4/C复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 比表面 晶化孔壁 co sub 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有高比表面和晶化孔壁的介孔Co3O4/C复合材料的方法，其特征在于，所述方法包括：将包含钴源和碳源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合搅拌直至溶剂挥干，以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物；将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/C/模板复合物；以及用强酸或强碱去除所述Co3O4/C/模板复合物中的模板以制得所述介孔Co3O4/C复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310240641.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种植入式静脉给药装置
- 下一篇：空气净化装置
