[发明专利]具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201310240026.9 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103274482A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王永霞;崔香枝;施剑林;陈立松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B01J23/75 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料及其制备方法和应用，所述方法包括：将包含钴源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合，搅拌直至溶剂挥干，以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物；将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/模板复合物；用强酸或强碱去除所述Co3O4/模板复合物中的所述模板以制得所述介孔Co3O4材料。本发明的方法以具有Ia3d结构的介孔二氧化硅（KIT-6）为模板，通过简单的一步纳米灌注的方式将金属盐前驱液浇注到模板的介孔孔道中，通过一定的热处理条件制备出高比表面积及孔径分布较窄的介孔Co3O4材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面积 晶化孔壁 co sub 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备具有高比表面积和晶化孔壁的介孔Co3O4材料的方法，其特征在于，所述方法包括：将包含钴源的乙醇前驱液与具有三维立方孔道结构的介孔二氧化硅模板混合，搅拌直至溶剂挥干，以通过一步纳米灌注法使所述前驱液完全灌注至所述模板的介孔孔道中从而制得前驱体/模板复合物；将所述前驱体/模板复合物进行热处理以制得Co3O4/模板复合物；用强酸或强碱去除所述Co3O4/模板复合物中的所述模板以制得所述介孔Co3O4材料。
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