[发明专利]一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310234932.8 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103342474A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;杨文耀;徐建华;李世彬;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C03C17/32;C04B41/50;H01B13/00;H01B5/14;C08G73/06;C08G73/02;C08G61/12 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法，纳米材料首先与铁离子层结合，然后通过气相聚合后可以获得导电聚合物超薄层。同时LB膜沉积可以形成大面积纳米材料的有序排布。因此，获得的导电聚合物和纳米材料的薄膜具有厚度超薄、比表面积大并可大面积制备的优点；并且方法简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 导电 聚合物 纳米 材料 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法，其特征在于，包括：将羟基化的纳米材料分散于第一混合溶液中，获得纳米材料分散溶液；将含铁氧化剂溶于第二溶剂中，获得第二溶液；将所述纳米材料分散溶液铺展于所述第二溶液表面，从而在所述第二溶液表面形成纳米材料/铁离子复合薄膜；用LB成膜法将所述纳米材料/铁离子复合薄膜转移到基片表面；将沉积了所述纳米材料/铁离子复合薄膜的所述基片放入氯化氢气氛中第一时间，从而在所述基片上形成纳米材料/三氯化铁复合薄膜；将形成了所述纳米材料/三氯化铁复合薄膜的所述基片置于导电聚合物单体气氛中第二时间，从而在所述基片上形成导电聚合物和纳米材料的薄膜。
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