[发明专利]一种制备自封闭纳米通道的方法有效
| 申请号： | 201310231538.9 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104229724A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;尹红星;李俊杰;田士兵;全保刚;夏晓翔;杨海方 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；步骤E：在去离子水中浸泡；步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。该方法制备方法简单，制备的纳米通道形状可以按照需求进行设计，长度可以达到厘米量级，且高度可精确控制并连续可调。同时SiN纳米通道的结构强度较高，且该方法具有较好的可控性、方便性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 封闭 纳米 通道 方法 | ||
【主权项】：
一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；步骤E：在去离子水中浸泡；步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。
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