[发明专利]一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法无效
申请号: | 201310219827.7 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN103326010A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 田东;鲍海友;张贵萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯诺实业发展有限公司永丰县分公司 |
主分类号: | H01M4/485 | 分类号: | H01M4/485;H01M4/62 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法,原料按照重量份比例,包括以下工艺步骤:(1)制备前驱体浆料;(2)雾化、干燥、造粒以及分级;(3)热处理。本发明通过选用纳米硅粉,避免了硅粉因粒径较大而在充放电时产生的体积效应,保证了材料的在充放电过程中的稳定性,同时和钛酸锂进行复合处理,解决了单一钛酸锂负极材料容量偏低等缺点;再通过在复合材料体系里添加导电剂,是使材料体系内部形成导电网络,增加复合材料的导电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 掺杂 复合 钛酸锂 负极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米硅掺杂复合钛酸锂负极材料的制备方法,原料按照重量份比例,包括以下工艺步骤:(1)制备前驱体浆料:按照二氧化钛:碳酸锂:纳米硅:导电剂=100:38~40:3~5:5~10的比例,称取各组分分散于有机溶剂乙醇中,调节固含量至20%~40%,然后不断搅拌,得到前驱体浆料;(2)雾化、干燥、造粒以及分级:将步骤(1)中制备的前驱体浆料通过雾化、干燥和造粒,再经过粉体分级得到平均粒径介于5~15μm之间的粉体;(3)热处理:将步骤(2)中所得到的粉体在惰性气体的保护下,以10~20℃/min 的速度升温至1000~1200℃,再保温0.5~5h,自然降温,冷却后经过粉碎、筛分即得到本发明所述的高容量钛酸锂负极材料。
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