[发明专利]一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺，本发明在制造MWT背接触太阳能电池时，将减反射膜完全覆盖住正面电极，即正面电极不需要穿透减反射膜直接与硅片接触，降低了串联电阻，提高了电池转换效率。同时印刷正面电极银浆时的穿透深度也更加容易控制，使得工艺简化。正面电极在减反射膜的完全覆盖下，不与外界直接接触，提高了该正面电极的抗腐蚀性和抗氧化能力。

主权项

一种薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）选取具有第一导电类型的硅片，经过在硅片预定位置开设通孔、以及制绒、扩散、通孔背结保护和刻蚀工艺后形成具有通孔的电池衬底；2）去除所述电池衬底表面的PSG；3）向该电池衬底上所述通孔内填充浆料，并制备背面电极，然后烘干；4）制备背面背场，然后烘干；5）制备电池正面电极，然后烘干；6）在步骤4）所形成的电池衬底上表面镀减反射膜，该减反射膜完全覆盖正面电极；7）经烧结后测试分选。