[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310217918.7 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103337474B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤一提供一衬底；步骤二在衬底上依次沉积形成金属层和第一介质层；步骤三刻蚀第一介质层和金属层，形成金属连线和金属连线上的第一介质层图案，暴露出部分衬底；步骤四在衬底和第一介质层图案上沉积形成阻隔材料层；步骤五对阻隔材料层进行刻蚀，在相邻的金属连线之间形成至少一个阻隔体；步骤六在衬底、第一介质层图案和阻隔体上形成第二介质层，并在金属连线和阻隔体之间和/或相邻的阻隔体之间的第二介质层中形成间隙。采用上述方法，可以在金属连线之间的第二介质层中形成间隙，能够有效降低第二介质层的介电常数，降低金属线之间的寄生电容，从而改善互连金属线的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一衬底；步骤二：在所述衬底上依次沉积形成金属层和第一介质层；步骤三：刻蚀所述第一介质层和金属层，形成金属连线和金属连线上的第一介质层图案，暴露出部分衬底；步骤四：在所述衬底和第一介质层图案上沉积形成阻隔材料层；步骤五：对所述阻隔材料层进行刻蚀，在相邻的所述金属连线之间形成至少一个阻隔体，所述阻隔体与相邻的一条金属连线之间的距离小于等于预定值；步骤六：在所述衬底、第一介质层图案和阻隔体上形成第二介质层，并在所述金属连线和阻隔体之间和/或相邻的阻隔体之间的第二介质层中形成间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
