[发明专利]多端口存储器系统和用于多端口存储器的写电路和读电路在审
申请号: | 201310217910.0 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104217752A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 黄永昌;湛斌;史祥宁 | 申请(专利权)人: | 辉达公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;徐丁峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了用于多端口存储器的写电路和读电路,以及一种多端口存储器系统。该写电路包括数据总线反转电路和用于写的静态I/O电路。数据总线反转电路配置为对输入数据进行编码并输出至用于写的静态I/O电路,并且输出至少一个编码标志位至多端口存储器的编码标志位存储单元;用于写的静态I/O电路包括多个I/O位片电路,其配置为根据从数据总线反转电路所接收的经编码的数据的待写位写对应的存储单元,其中对于对应的存储单元,仅在两个连续的写周期内待写位不同的情况中,位线上的电位才改变。上述写电路可以减小对位线进行充电的频率,进而减小多端口存储器中位线所消耗的功率。 | ||
搜索关键词: | 多端 存储器 系统 用于 电路 | ||
【主权项】:
一种用于多端口存储器的写电路,包括数据总线反转电路和用于写的静态I/O电路,其中:所述数据总线反转电路配置为对输入数据进行编码,输出经编码的数据至所述用于写的静态I/O电路,并且输出至少一个编码标志位经由附加的I/O电路至所述多端口存储器的编码标志位存储单元,用于指示所述输入数据的编码状态;所述用于写的静态I/O电路包括多个I/O位片电路,其中每个I/O位片电路连接到所述多端口存储器的对应的存储单元的一对位线,并配置为根据从所述数据总线反转电路所接收的所述经编码的数据的待写位写所述对应的存储单元,其中对于所述对应的存储单元,仅在两个连续的写周期内所述待写位不同的情况中,所述位线上的电位才改变。
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