[发明专利]延TiO2纳米纤维表面生长的多级有序In2O3结构及制备方法有效
| 申请号： | 201310217883.7 | 申请日： | 2013-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN103332725A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈旭;董文钧 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种In2O3延TiO2纳米纤维表面取向生长结构、花状结构、树枝状结构、镂空状结构、四面体结构及其制备方法，所述TiO2纳米纤维是在通过水热合成方法制备的，所述In2O3是通过磁控溅射技术制备的，所述In2O3取向生长、花状、树枝状、镂空状、四面体结构显示出多级有序、高比表面积、高通透率；该结构具有良好光催化性能与导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | tio sub 纳米 纤维 表面 生长 多级 有序 in 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多级有序In2O3结构，其特征在于：In2O3延TiO2纳米纤维表面生长出取向生长结构、花状结构、树枝状结构、镂空状结构或四面体结构：所述In2O3取向生长结构是由多个In2O3纳米柱取向生长、定向排列在TiO2纳米纤维表面而成的；所述In2O3花状结构是由所述的In2O3取向生长结构趋于饱和后其表面生长出的In2O3花瓣构成的；所述In2O3树枝状结构是由所述的In2O3花瓣进一步生在而成的；所述In2O3镂空状结构是由多个所述的In2O3树枝状结构自组装而成的；所述In2O3四面体结构是由所述的In2O3镂空状结构趋于饱和而成的。
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