[发明专利]低应力的外延硅晶片有效
| 申请号： | 201310216652.4 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104103679B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林文;邱恒德 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/167 | 分类号： | H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低应力的外延硅晶片包含硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外延层。硅衬底含有选自硼或磷的掺杂剂，且掺杂剂浓度为100X at%。第一硅外延层含有硅衬底的掺杂剂与锗且具有相反的第一、二侧部，第一侧部邻近硅衬底，所述掺杂剂浓度实质等于硅衬底中掺杂剂的浓度，所述锗浓度自第一侧部朝第二侧部由0at%递增至100Y at%。第二硅外延层含有第一硅外延层的掺杂剂与锗，且掺杂剂的浓度实质等于第一硅外延层中掺杂剂的浓度，锗的浓度实质等于第一硅外延层的第二侧部中锗的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 外延 晶片 | ||
【主权项】：
一种低应力的外延硅晶片，包含：硅衬底，含有选自硼或磷的掺杂剂D，且掺杂剂D浓度为100X at％；第一硅外延层，形成于所述硅衬底上并含有所述硅衬底的掺杂剂D与锗，且具有相反设置的第一侧部及第二侧部，所述第一侧部邻近所述硅衬底，所述掺杂剂D的浓度实质等于所述硅衬底中掺杂剂D的浓度，且所述锗的浓度自所述第一侧部朝所述第二侧部由0at％递增至100Y at％；及第二硅外延层，形成于所述第一硅外延层上并含有所述第一硅外延层的掺杂剂D与锗，且掺杂剂D的浓度实质等于所述第一硅外延层中掺杂剂D的浓度，锗的浓度实质等于所述第一硅外延层的第二侧部中锗的浓度；其中，X与Y是原子分数，100X与100Y的单位为at％，当所述硅衬底的掺杂剂D是硼时，Y介于5.8X至8X之间，当所述硅衬底的掺杂剂D是磷时，Y介于1.5X至2.5X之间，且所述硅衬底、所述第一硅外延层与所述第二硅外延层呈单晶结构。
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