[发明专利]动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底有效
| 申请号： | 201310213327.2 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103255386A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底。该动态沉积磁控溅射镀膜装置包括第一腔室、传输组件以及镀膜组件，其中，传输组件设置在第一腔室内部以传输衬底；镀膜组件包括设置在第一腔室内并对衬底的表层沉积以形成保护层的第一靶材和对具有保护层的衬底镀膜的第二靶材。根据本发明的动态沉积磁控溅射镀膜装置、方法及该方法制造的衬底，不用考虑高功率激发的高能量靶材等离子体轰击衬底而对衬底造成损伤，进而提高了对衬底镀膜的速度，保证了衬底结构完整的同时还提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 沉积 磁控溅射 镀膜 装置 方法 制造 衬底 | ||
【主权项】：
一种动态沉积磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括：第一腔室（10）；传输组件（30），设置在所述第一腔室（10）内部以传输衬底（20）；镀膜组件（40），包括设置在所述第一腔室（10）内并对所述衬底（20）的表层沉积以形成保护层的第一靶材（41）和对具有保护层的所述衬底（20）镀膜的第二靶材（42）。
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