[发明专利]改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法

摘要

改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法，在对光刻胶层进行曝光前增加添加图形偏移量的步骤：提供参考晶片；根据原始的图形曝光参数在原始参考半导体器件上得到原始保护层，观察原始保护层的变形情况；在原始图形曝光参数的基础上加入图形偏移量，在偏移参考半导体器件上获得相对应的偏移参考保护层，观察偏移参考保护层的变形情况；确定出没有变形且窗口较大的校正图形；确定出校正图形相对于原始光刻图形的图形偏移量，包括X轴方向的偏移量ΔX以及Y轴方向的偏移量ΔY，得到对应的图形偏移量参数；将图形偏移量参数添加至图形曝光参数中，进行曝光。本发明使保护层图形的关键位置在曝光时避开衬底上的不稳定点，改善图形的变形。

主权项

改善光刻胶固化后变形的方法，其特征在于：在光刻胶曝光之前添加图形偏移量参数，所述光刻胶为聚酰亚胺光刻胶，具体步骤如下：步骤一、提供参考晶片，用于在其上形成保护层，所述参考晶片包括原始参考晶片和偏移参考晶片；步骤二、根据原始的图形曝光参数在原始参考晶片上进行曝光刻蚀，经烘烤后得到原始保护层，观察原始保护层在衬底上不同材质结构交界处的变形情况；步骤三、在原始图形曝光参数的基础上逐渐改变图形偏移量，使光刻图形沿X轴和Y轴整体偏移，偏移后的光刻图形的边缘不在衬底上不同材质结构的交界处，在偏移参考晶片上进行曝光刻蚀，经烘烤后获得相对应的偏移参考保护层，观察偏移参考保护层在衬底上不同材质结构交界处的变形情况；步骤四、根据偏移参考保护层的变形情况，将保护层没有变形且窗口较大的偏移参考晶片的光刻图形定为校正图形；步骤五、确定出校正图形相对于原始光刻图形的图形偏移量，包括X轴方向的偏移量ΔX以及Y轴方向的偏移量ΔY，得到对应的图形偏移量参数；步骤六、将得到的图形偏移量参数ΔX和ΔY通过软件补偿的方式添加至图形曝光参数中，进行曝光。