[发明专利]一种大功率场效应晶体管铝-金键合过渡片的制备方法有效
申请号: | 201310207891.3 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103295918A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 谢忠平;李宗宇 | 申请(专利权)人: | 江西联创特种微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人: | 姚伯川 |
地址: | 330012 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种大功率场效应晶体管铝-金键合过渡片的制备方法,所述铝-金键合过渡片的制备方法包括以下步骤:(1)铝片材料的选择及清洗;(2)将铝板的一面蒸上金;(3)合金化处理,增强金层和铝的欧姆接触;(4)根据要求切割成不同规格的过渡片材料。铝-金键合过渡片用于高纯铝丝键合时,将铝-金键合过渡片的金钛合金面(4)通过焊料(3)焊接在镀金芯柱的镀金层(2)上;在铝-金键合过渡片的铝面(11)上焊接高纯铝丝(1)。本发明制备的铝-金键合过渡片用于高纯铝丝键合,可以消除铝-金键合产生的金属间化合物和科肯达尔效应带来的不利影响,不会影响引线的键合强度和导通电阻。本发明适用于大功率场效应管引线键合。 | ||
搜索关键词: | 一种 大功率 场效应 晶体管 金键合 过渡 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大功率场效应晶体管铝‑金键合过渡片的制备方法,其特征在于,所述铝‑金键合过渡片的制备方法步骤如下:(1)铝片材料的选择及清洗;选用一块面积为100~300mm2、厚度为0.3mm的纯度为99%的铝板,使用化学清洗的方法去除表面的颗粒物、氧化物等杂质,放入乙醇中用超声波进行清洗,再用去离子水冲洗;(2)将铝板的一面蒸上金;首先使用电子束蒸发台在铝板的一面蒸镀一层厚度为0.1μm左右的钛金属层,在此基础上蒸镀一层厚度为1.5~2.0μm的金层,构成金钛合金面;(3)合金化处理,将过渡片置于流量为700~1000mL/min的高纯氮氛围中,保持温度在500~520 ℃,时间20±2分钟,对过渡片进行合金化处理,增强金层和铝的欧姆接触;(4)使用切片机,将其切割成1.0㎜×1.0 mm和1.5㎜×1.5mm不同规格的过渡片材料;(5)使用化学清洗和放入乙醇中超声清洗,去除过渡片边缘的毛刺和金属颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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