[发明专利]用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏无效
| 申请号： | 201310206813.1 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103965913A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄耿芳;王为华 | 申请（专利权）人： | 三治光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏包含酸以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物。该酸包括至少一种由下列群组所组成的无机酸：磷酸、盐酸、硫酸及硝酸。该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配，使该蚀刻膏具有容易配制、较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点，且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时，可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜，继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 氧化 铟锡系 导电 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，其特征在于包含：酸，包括选自于：磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸；以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物；其中，该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。
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