[发明专利]用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，特别是涉及一种包含硅酸盐系黏土矿物的蚀刻膏。

背景技术

目前形成图案化氧化铟锡系导电膜的方式有湿蚀刻及干蚀刻。该湿蚀刻是采用光阻蚀刻法，而该干蚀刻是采用电浆蚀刻法。其中，较广使用湿蚀刻。该光阻蚀刻法虽可提供较佳解析度的图案化氧化铟锡系导电膜，然而，该光阻蚀刻法制程复杂且耗时，不符合业者成本效益。

中国台湾TW200827431专利公开案揭示一种用于蚀刻氧化型、透明及导电性表面的可印刷媒质。该可印刷媒质包含磷酸、至少一种溶剂、相对粒径介于20nm至80nm且BET比表面积介于40至100平方米/克的石墨及/或碳黑、增稠剂及添加剂。该可印刷媒质可用来蚀刻铟锡氧化物。然而，该可印刷媒质需使用纳米级的石墨及/或碳黑，使得该可印刷媒质的分散性不佳、储存安定性不佳，且成本高。同时，碳黑因重量轻，配制过程易产生粉尘问题。

经上述说明可知，提供具有储存安定性且成本低的蚀刻膏，是此技术领域相关技术人员可再突破的课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏。

本发明用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，包含：

酸，包括选自于：磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸；以及

25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物(silicate-basedclay minerals)；其中，该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，该硅酸盐系黏土矿物是择自于蒙脱土或高岭土。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，还包含分散剂。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计，该分散剂的含量范围为5重量份至15重量份。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，还包含溶剂。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计，该溶剂的含量范围为57重量份至145重量份。

本发明所述用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，还包含颜料。

本发明的有益效果在于：本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配，使该蚀刻膏具有较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点，且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时，可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜，继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。

具体实施方式

本发明用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏，包含：

酸，包括选自于：磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸；以及

25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物；

其中，该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。

较佳地，该硅酸盐系黏土矿物是择自于蒙脱土(montmorillonite)或高岭土(kaolinite)。

为能使该硅酸盐系黏土矿物具有更佳的分散性，较佳地，该用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏还包含分散剂。该分散剂可单独或混合使用，且该分散剂例如但不限于聚羧酸盐系分散剂或聚丙烯酸系聚合物型分散剂等。该聚羧酸盐例如但不限于聚羧酸钠盐或聚羧酸铵盐等。该聚羧酸盐系分散剂例如但不限于型号DISPERBYK-190(BYK制)。该聚丙烯酸系聚合物例如但不限于丙烯酸-甲基丙烯酸酯共聚物。

较佳地，以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计，该分散剂的含量范围为5重量份至15重量份。

较佳地，该用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏还包含溶剂。

该溶剂能配合后续制程温度，继而可被移除即可。该溶剂可单独或混合使用，且该溶剂例如但不限于水、异丙醇、二甘醇、二丙二醇、聚乙二醇类、1,2－丙二醇、1,4－丁二醇、1,3－丁二醇、甘油、1,5－戊二醇、2－乙基－1－己醇、乙酰苯、甲基－2－己酮、2－辛酮、4－羟基－4－甲基－2－戊酮、1－甲基－2－吡咯啶酮、乙二醇单丁基醚、乙二醇单甲基醚、三甘醇单甲基醚、二甘醇单丁基醚，或二丙二醇单甲基醚等。

较佳地，以该硅酸盐系黏土矿物的总量为100重量份计，该溶剂的含量范围为57重量份至145重量份。