[发明专利]一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法

摘要

一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，它涉及薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，本发明要解决现有的普通工艺得到的Mo薄膜存在表面粗糙、结构和几何均匀性差，电学及声学性能难以满足压电堆电极要求，以及其与AlN薄膜特性差异大，结合强度低的问题。本发明中一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法按以下步骤进行:一、清洗单晶硅衬底材料;二、进行单晶硅衬底表面离子清洗;三、在单晶硅衬底表面沉积Mo薄膜;四、对Mo薄膜表面进行氮化处理。本发明制备的Mo薄膜电极，表面平整，粗糙度低、结构和几何均匀性好，电学及声学性能优良。本发明可应用于电子材料技术领域。

主权项

一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于它是通过以下步骤实现的:步骤一、将单晶硅片衬底(100)依次放在丙酮、酒精和去离子水中，在超声功率为250W～550W的条件下清洗20min～30min后烘干;步骤二、在阴极弧源内装好Mo靶，将步骤一得到的单晶硅片衬底置于过滤阴极电弧沉积设备真空仓内的样品台上，抽真空至1.0×10‑6Torr～9.9×10‑6Torr后通入Ar气，控制Ar气流量为40sccm～60sccm，当真空仓内压强达到8.0×10‑5Torr～1.0×10‑4Torr时，将样品台转至离子清洗位置，对单晶硅衬底表面进行离子清洗10min～20min，然后关闭氩气，再将样品台转至沉积位置;步骤三、继续对真空仓进行抽真空，当真空度达到1.0×10‑6Torr～9.9×10‑6Torr时，然后调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为60A～120A，沉积时间设为4min～8min，起弧频率为10s/次～15s/次，衬底施加直流负偏压为20V～200V，开启过滤阴极电弧沉积设备，开始对Mo靶施加脉冲特性电源起弧，然后采用平特性电源稳弧，向衬底表面沉积镀膜;步骤四:停弧后，继续对真空仓进行抽真空，当真空度达到1.0×10‑6Torr～9.9×10‑6Torr时，通入氮气，氮气流量控制在2.6sccm～8.8sccm，调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为100A～150A，沉积时间为1min～3min，衬底直流负偏压为100V～300V，继续沉积Mo薄膜，沉积结束后，即获得氮化改性处理后的下电极Mo薄膜。