[发明专利]一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于它是通过以下步骤实现的:

步骤一、将单晶硅片衬底(100)依次放在丙酮、酒精和去离子水中，在超声功率为250W～550W的条件下清洗20min～30min后烘干;

步骤二、在阴极弧源内装好Mo靶，将步骤一得到的单晶硅片衬底置于过滤阴极电弧沉积设备真空仓内的样品台上，抽真空至1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr后通入Ar气，控制Ar气流量为40sccm～60sccm，当真空仓内压强达到8.0×10^-5Torr～1.0×10^-4Torr时，将样品台转至离子清洗位置，对单晶硅衬底表面进行离子清洗10min～20min，然后关闭氩气，再将样品台转至沉积位置;

步骤三、继续对真空仓进行抽真空，当真空度达到1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr时，然后调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为60A～120A，沉积时间设为4min～8min，起弧频率为10s/次～15s/次，衬底施加直流负偏压为20V～200V，开启过滤阴极电弧沉积设备，开始对Mo靶施加脉冲特性电源起弧，然后采用平特性电源稳弧，向衬底表面沉积镀膜;

步骤四:停弧后，继续对真空仓进行抽真空，当真空度达到1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr时，通入氮气，氮气流量控制在2.6sccm～8.8sccm，调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为100A～150A，沉积时间为1min～3min，衬底直流负偏压为100V～300V，继续沉积Mo薄膜，沉积结束后，即获得氮化改性处理后的下电极Mo薄膜。

2.如权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤一中在超声功率为300W～500W的条件下清洗22min～28min后烘干。

3.如权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤一中在超声功率为400W的条件下清洗25min后烘干。

4.如权利要求1至3中任一项所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤二中抽真空至2.0×10^-6Torr～8.0×10^-6Torr后通入Ar气，控制Ar气流量为45sccm～55sccm，当真空仓内压强达到8.5×10^-5Torr～9.5×10^-5Torr时，对单晶硅衬底表面进行离子清洗12min～18min。

5.如权利要求1至3中任一项所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤二中抽真空至5.0×10^-6Torrr后通入Ar气，控制Ar气流量为5Osccm，当真空仓内压强达到9.O×10^-5Torr时，对单晶硅衬底表面进行离子清洗15min。

6.如权利要求4所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤三中当真空度达到2.0×10^-6Torr～8.0×10^-6Torr时，然后调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为70A～llOA，沉积时间设为5min～7min，起弧频率为11s/次～14s/次，衬底施加直流负偏压为50V～150V。

7.如权利要求4所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法,其特征在于步骤三中当真空度达到5.0×10^-6Torr时，然后调入扫描波形，设置沉积参数为:电弧电流为90A，沉积时间设为6min，起弧频率为13s/次，衬底施加直流负偏压为100V。

8.如权利要求6所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤四中当真空度达到5.0×10-⁶Torr时，通入氮气，氮气流量控制在5.6sccm。

9.如权利要求8所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤四中电弧电流为110A～140A，衬底直流负偏压为150V～250V，继续沉积Mo薄膜。

10.如权利要求8所述的一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，其特征在于步骤四中电弧电流为120A，衬底直流负偏压为200V，继续沉积Mo薄膜。