[发明专利]基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器有效
| 申请号： | 201310198600.9 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103346406A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张雅鑫;乔绅;梁士雄;杨梓强;冯志红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G02F1/015 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底1、外延层2、调制单元组4，外延层2设置于半导体衬底1上，在外延层2上设置有调制单元、正电压加载电极3和负电压加载电极5；所述调制单元组包括至少3个调制单元；所述调制单元包括高电子迁移率晶体管和人工金属电磁谐振结构，各晶体管的栅极连接到负电压加载电极5，源极和漏极连接到正电压加载电极3。本发明针对空间传播太赫兹电磁波，可工作于常温、常压、非真空条件下，无需加载波导，易于封装、方便使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子 迁移率 晶体管 赫兹 空间 外部 调制器 | ||
【主权项】：
基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器，其特征在于，包括半导体衬底（1）、外延层（2）、调制单元组（4），外延层（2）设置于半导体衬底（1）上，在外延层（2）上设置有调制单元组（4）、正电压加载电极（3）和负电压加载电极（5）；所述调制单元组（4）包括至少3个调制单元；所述调制单元包括高电子迁移率晶体管和人工金属电磁谐振结构，各晶体管的栅极连接到负电压加载电极（5），源极和漏极连接到正电压加载电极（3）。
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