[发明专利]一种霍山石斛扦插成苗的方法有效

专利信息
申请号: 201310196063.4 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103314740A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 谢升旺 申请(专利权)人: 安徽中升生物科技有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 237200 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种霍山石斛扦插成苗的方法,扦插时间大约在4-5月份,选取品质优良、生长健壮的霍山石斛,不宜用已开花的,剪取石斛的茎时向上应保留2—3个芽节平截,切口要平滑;剪取后石斛的茎用400-600倍液多菌灵进行消毒,浸泡10-15分钟插入基质苗床中,插茎周边围上草粉并用黄土镇压;插入时注意生长方向上下不可颠倒;所述的多菌灵液中含有80-120PPm的亚硒酸钠;本发明的方法,模似野外生长的土壤环境,同时,增加了土壤的营养元素,有利于石斛生长与抗性提高,霍山石斛扦插成苗达到95%,成活率大大提高,从而降低种苗生产成本。
搜索关键词: 一种 霍山 石斛 扦插 方法
【主权项】:
一种霍山石斛扦插成苗的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)、扦插时间大约在4‑5月份,选取品质优良、生长健壮的霍山石斛,不宜用已开花的,剪取石斛的茎时向上应保留2—3个芽节平截,切口要平滑;(2)、剪取后石斛的茎用400‑600倍液多菌灵进行消毒,浸泡10‑15分钟插入基质苗床中,插茎周边围上草粉并用黄土镇压;插入时注意生长方向上下不可颠倒;所述的多菌灵液中含有80‑120PPm的亚硒酸钠;所述的基质苗床,采用以下构造:选择疏松通气的良好地块,地面上首先铺设稻草3‑5厘米厚,稻草上铺一层3‑5厘米厚的缓冲层,所述的缓冲层上再铺设10‑12厘米的基质层;所述的缓冲层由下列重量份原料混合而成:蚕砂2‑4、食用菌栽培废料6‑8、河砂1‑2、红糖1‑2、风化煤2‑3;所述的基质层由下列重量份的原料制成,制备步骤为:S1:称取下列重量份的原料:干牛粪便200‑300、稻草粉140‑180、花生壳40‑50、统糠20‑30、水果渣60‑70、铁矿渣15‑20、生石灰1‑2、冬青油1‑2、纳米碳0.3‑0.5、凹凸棒土30‑40、砖渣80‑90、硼砂1‑2、亚硒酸钠0.2‑0.3;S2:将上述原料混合均匀,掺入适量水,接种EM菌发酵剂,堆积发酵12‑15天,消毒、得到,(3)、石斛插穗大约在21℃~25℃之间的温度下最容易生根,等到生根发芽后就可移栽。
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