[发明专利]具有晶面取向性的多酸微纳米晶体荧光薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了属于发光薄膜制备技术领域的一种具有晶面取向性的多酸微纳米晶体荧光薄膜及其制备方法。本发明首先利用多酸Na9EuW10O36·nH2O与直径大的一价抗衡阳离子Ag+作用产生溶解度极低的多酸难溶盐Ag9EuW10O36微纳米晶体。这些微纳米晶体具有均一的尺寸及六边形形貌，具有明确的内部结构、极低的溶解性，高的荧光寿命，高的发光效率及高的量子产率等特点。然后将得到的这些多酸微纳米晶体作为基本模块，在涂覆有聚电解质的固体基底进行磨擦、按压，使微纳米晶体最终在涂覆有聚电解质的固体基底表面组装成具有一定厚度的具有晶面取向性的稀土多酸微纳米晶体荧光薄膜。本发明首次实现了稀土多酸微纳米晶体的有序组装。

主权项

一种具有晶面取向性的多酸微纳米晶体荧光薄膜的制备方法，其特征在于，其具体制备步骤如下：(1)多酸微纳米晶体的制备：分别配制0.0001‑0.025mol/L的稀土多酸溶液和0.0009‑0.225mol/L的硝酸银溶液，20‑75℃的环境中，按稀土多酸和硝酸银的摩尔比为(1:20)‑(1:3)的比例将硝酸银溶液缓慢滴入剧烈搅拌的稀土多酸溶液中，离心分离，得到的产物为具有六边形形貌的多酸微纳米晶体Ag9EuW10O36；(2)具有晶面取向性的多酸微纳米晶体荧光薄膜的制备：先配制质量分数为0.1%‑5%的聚电解质溶液；将配制好的聚电解质溶液旋涂至固体基底表面；然后将步骤(1)制备的多酸微纳米晶体放到旋涂了聚电解质的固体基底表面，经磨擦、按压，制备得到具有晶面取向性的多酸微纳米晶体荧光薄膜。