[发明专利]修复介质K值的方法有效
| 申请号： | 201310192549.0 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183541B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王宗涛;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种修复介质K值的方法，至少包括以下步骤1）提供一基板，在所述基板上形成介质层；2）在所述介质层中刻蚀出若干凹槽，并进行清洗去除刻蚀残留物；3）采用微波照射刻蚀后的介质层。本发明的修复介质K值的方法利用水对微波的强烈吸收性能来去除介质层中的水汽，从而修复介质层的K值；并利用介质层的能隙远大于微波的光子能量，不会吸收微波，避免了介质层损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种修复介质K值的方法，其特征在于，所述修复介质K值的方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，在所述基板上形成介质层；所述介质层为多孔超低K介质；所述多孔超低K介质满足K<3或K<2.5；2)在所述介质层中刻蚀出若干凹槽，并进行清洗去除刻蚀残留物；3)采用微波照射刻蚀后的介质层；所述微波的波长范围是1.0E‑3米～2.5E‑1米，功率范围是50W～5KW，照射时间为10s～10min；微波的光子能量小于所述超低K介质的能隙，所述介质层不会吸收微波的能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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