[发明专利]一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置

摘要

一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置，其特征在于测温过程中包含以下步骤先测量物体的发射率，根据基尔霍夫定律计算得到其发射率；将发射率大小与发射率阀值作比较，如果测量发射率小于阀值，就采用单波长加发射率修正方法测温；否则采用远红外双波长方法测温，当远红外波长中较大波长的能量超过测试量程，就采用近红外双波长测温，同样当近红外中较小波长能量低于测试量程，就跳转至远红外双波长测温。本发明的优点是通过有效结合单双波长测温优点选择不同方法测温，解决了MOCVD生长过程中的复杂表面测温问题。自动选择测试方法，测量准确度高，同时四个波长测温极大扩展测温范围。

主权项

一种MOCVD工艺生长的红外测温方法，其特征在于包含以下步骤：步骤1，测量反射率：根据传热学的基尔霍夫定理，对于非透明被测物体的发射率ξ与反射率r的和为1，即：ξ＝1‑r，测量物体的反射率r，可计算得到对应的发射率：ξ；步骤2，选择测温方法：将步骤1中测量的发射率ξ与设定的发射率阀值K比较，如果ξ<K，此时采用单波长发射率修正方法测温，进入步骤5；否则，采用双波长方法测温，进入步骤3；步骤3，测量辐射物体在选定较长的远红外波长的能量E，如果E小于测试量程，此时采用远红外双波长测温进入步骤5；如果E大于测试量程，此时进行步骤4；步骤4，根据近红外双波长辐射能量进行双波长测温，如果较小的近红外波长能量低于测试量程，则进入步骤3，否则进入步骤5；步骤5计算得到红外测量的准确温度，并根据不同步骤入口显示测温方法以及测量温度。