[发明专利]一种RRAM存储器读电路在审
| 申请号： | 201310190986.9 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103325414A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 于杰;焦斌;吴明昊;吴华强;邓宁;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种的RRAM存储器读电路，包括：阻变单元阵列，包括多个串并联的RRAM阻变单元，用于实现数据存储功能；参考单元阵列，包括多个串并联的RRAM阻变单元，用于提供参考电压；多级调节电流模块，包括译码器和多级参考支路模块，多级参考支路模块具有多级参考支路，多级参考支路对应多级参考电流值；电流镜，电流镜的两端分别与灵敏放大器和多级参考支路模块相连，用于实现电流镜像；灵敏放大器，灵敏放大器的正输入端与阻变单元阵列相连，负输入端与电流镜相连，输出端输出数据。本发明克服了阻值漂移现象，有效延长阵列的可操作次数，具有低功耗高速、稳定耐用的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种RRAM存储器读电路，包括：阻变单元阵列，包括多个串并联的RRAM阻变单元，用于实现数据存储功能；参考单元阵列，包括多个串并联的RRAM阻变单元，用于提供参考电压；多级调节电流模块，包括译码器和多级参考支路模块，所述多级参考支路模块具有多级参考支路，所述多级参考支路对应多级参考电流值；电流镜，所述电流镜的两端分别与灵敏放大器和多级参考支路模块相连，用于实现电流镜像；所述灵敏放大器，所述灵敏放大器的正输入端与所述阻变单元阵列相连，负输入端与所述电流镜相连，输出端输出数据。
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