[发明专利]一种基于相变材料或拓扑绝缘材料的多层不对称超材料有效
| 申请号： | 201310183190.0 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103247863A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曹暾 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李宝元;梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于相变材料或拓扑绝缘材料的多层不对称超材料。通过在多层不对称超材料中引入相变材料或拓扑绝缘材料，使其法诺共振频率具有可调谐性，从而解决超材料结构确定以后，法诺共振频率不能改变的技术问题。本发明利用相变材料或拓扑绝缘材料介电系数随外加电场或温度改变而变化的特性，实现多层不对称超材料中法诺共振频率的可调谐功能，最大调节幅度可达43％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相变 材料 拓扑 绝缘材料 多层 不对称 | ||
【主权项】：
一种基于相变材料或拓扑绝缘材料的多层不对称超材料，是一种基于相变材料或拓扑绝缘材料的具有可调谐法诺共振现象的多层不对称超材料，其特征在于，该多层不对称超材料由衬底层、下金属层、相变材料层/拓扑绝缘材料层、上金属层、氧化层；谐振单元偏离其自身中心位置，偏离距离在5纳米至1微米，谐振单元的孔径在20纳米至1微米、高度在60纳米至30微米。所述的多层结构通过控制外加电场或温度，改变相变材料或拓扑绝缘材料介电系数，进而实现其法诺共振频率的可调谐性。
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