[发明专利]包括具有改进耐久性的RF‑LDMOS晶体管的电子设备有效
| 申请号： | 201310176747.8 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103475320B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·A·M·德波特 | 申请（专利权）人： | 安普林荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 浦彩华,姚开丽 |
| 地址： | 荷兰奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子设备，包括RF‑LDMOS晶体管(1)和用于所述RF‑LDMOS晶体管的保护电路(2)。所述保护电路(2)包括i)耦合至所述RF‑LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；ii)限幅节点(Nc)；iii)耦合至所述限幅节点(Nc)的限幅电路(3)，用于将所述限幅节点(Nc)上的电压实质上保持在预先确定的参考电压以下，其中将所述预先确定的参考电压设计成大于所述漏极端子(Drn)上的操作电压并且低于固有地存在于所述RF‑LDMOS晶体管中的寄生双极型晶体管(100)的触发电压；iv)耦合在所述限幅节点(Nc)与另一个参考电压端子(Gnd)之间的电容(Ct)；以及v)整流元件(D1、D2)，所述整流元件的阳极端子连接至所述输入端子(Ni)，并且所述整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)。本发明提供了一种具有改进RF耐久性的RF‑LDMOS晶体管，同时不损害或者至少在小得多的程度上损害所述RF‑LDMOS晶体管的RF性能。 | ||
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【主权项】：
一种电子设备，包括RF‑LDMOS晶体管(1)和用于所述RF‑LDMOS晶体管的保护电路(2)，所述保护电路(2)包括：‑耦合至所述RF‑LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；‑限幅节点(Nc)；‑整流元件(D1、D2)，所述整流元件的阳极端子连接至所述输入端子(Ni)，并且所述整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)；‑耦合至所述限幅节点(Nc)的限幅电路(3)，用于将所述限幅节点(Nc)上的电压实质上保持在预先确定的参考电压处，以在所述RF‑LDMOS晶体管的正常操作模式期间保持所述整流元件(D1，D2)反向偏置，其中将所述预先确定的参考电压设计成大于所述漏极端子(Drn)上的操作电压并且低于固有地存在于所述RF‑LDMOS晶体管中的寄生双极型晶体管(100)的触发电压；以及‑耦合在所述限幅节点(Nc)与另一个参考电压端子(Gnd)之间的电容(Ct)，其中，在正常的RF操作期间，所述电容(Ct)两端的电压实质上等于所述预先确定的参考电压(Vref)；其中所述限幅电路(3)包括另一个整流元件(Dcl)，所述另一个整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)，并且所述另一个整流元件的阳极端子连接至所述另一个参考电压端子(Gnd)，所述另一个整流元件(Dcl)包括击穿电压等于所述预先确定的参考电压的二极管。
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