[发明专利]在非易失性存储设备中编程数据的方法和装置在审
| 申请号： | 201310176746.3 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426471A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李准祐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了用于编程数据的方法和装置、以及设定用于编程数据的数据编程模式的方法和装置。在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：基于设定的模式信息，在至少两个编程模式中确定要用于数据编程的编程模式，所述至少两个编程模式针对要编程的单元规定了不同验证电压；以及根据确定的编程模式来编程数据。由此，防止了SMD回流工艺期间所编程数据的丢失。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 编程 数据 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种在非易失性存储器件中编程数据的方法，该方法包括：基于设定的模式信息，在至少两个编程模式中确定要用于数据编程的编程模式，所述至少两个编程模式针对要编程的单元规定了不同验证电压；以及根据确定的编程模式将数据编程到单元中。
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