[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201310176523.7 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103579429B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林贤哲;崔宰熏 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括电子阻挡区域，布置为靠近有源层且具有图案，该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率，从而提高其内部量子效能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，其中所述第二导电类型半导体层包括：电子阻挡层，布置为靠近所述有源层；以及第二导电类型覆层，形成在所述电子阻挡层上，其中所述电子阻挡层包括：多个第一区域，被图案化以彼此隔开；以及第二区域，布置在相邻的第一区域之间，其中所述多个第一区域和所述第二区域直接布置在所述有源层上；其中所述第二区域包括：第一层，直接布置在所述有源层上；以及第二层，直接布置在所述第二导电类型覆层；其中所述多个第一区域中的每个第一区域的能量带隙大于所述第一层的能量带隙；其中所述第一层的能量带隙大于所述第二层的能量带隙；以及其中所述第二层的能量带隙与所述第二导电类型覆层的能量带隙相同。
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