[发明专利]双转换增益成像装置及其成像方法有效
| 申请号： | 201310170366.9 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104144305B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 邵泽旭;徐辰;王毫杰 | 申请（专利权）人： | 江苏思特威电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 215513 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及双转换增益成像装置及其成像方法。该成像装置，包括像素阵列，其包括排列成行和列的多个像素；其中至少一个像素包括一晶体管，所述晶体管的栅极连接到浮动扩散区域，所述晶体管的源极或漏极作为控制端；其中，所述晶体管在耗尽状态和强反状态之间切换；以及控制电路，其控制所述像素阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 增益 成像 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种像素的制造方法，所述像素包括光电二极管，转移晶体管，其将所述光电二极管获得电量转移到浮动扩散区域；重设晶体管，其重设浮动扩散区域；以及双转换增益DCG晶体管，所述DCG晶体管的栅极连接到所述浮动扩散区域，其中，所述晶体管在耗尽状态和强反状态之间切换；其中所述DCG晶体管的源极或漏极作为控制端；或者所述DCG晶体管的源极和漏极接在一起作为控制端；其中高光照条件下，所述DCG晶体管工作在强反状态，而在低光照条件下，所述DCG晶体管在耗尽状态；其中所述DCG晶体管根据外界的光照条件自动在耗尽状态和强反状态之间切换；所述方法包括：在衬底上形成第一掺杂区域和第二掺杂区域，并且在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间形成感光区域；在第一掺杂区域上形成双转换增益DCG晶体管、转移晶体管和重设晶体管的栅极；在所述DCG晶体管、转移晶体管和重设晶体管的各个栅极两侧形成间隔层；以及采用离子注入工艺形成所述DCG晶体管、转移晶体管和重设晶体管的源极和漏极。
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