[发明专利]锡掺杂染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极及其制备方法与应用无效

专利信息
申请号: 201310168474.2 申请日: 2013-05-06
公开(公告)号: CN103280323A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 段彦栋;傅年庆;方艳艳;周晓文;林原 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G9/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种掺杂锡的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极及其制备方法与应用。本发明的薄膜光电极是由掺杂锡的TiO2纳晶颗粒胶体在导电基底上涂敷并进行热处理后形成的多孔结构纳晶薄膜光电极。一方面,锡掺杂后,不但增加了载流子的数量从而明显提高了TiO2薄膜的传输电子性能,而且可以改变TiO2能带结构从而提高光电压。本发明制备方法简单,易于操作,特别适用于染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的工业化生产制备。
搜索关键词: 掺杂 染料 tio sub 薄膜 电极 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种制备光电极的方法,包括如下步骤:1)将钛盐与含锡化合物分别溶于溶剂后混匀依次进行水解和水热反应,再将所得胶体溶液蒸干,得到掺杂锡的TiO2胶体;2)将步骤1)所得掺杂锡的TiO2胶体均匀涂敷在导电玻璃上,热处理后得到掺杂锡的TiO2薄膜电极;3)将步骤2)所得掺杂锡的TiO2薄膜电极干燥后,浸入染料的溶液中,取出晾干,得到所述光电极。
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