[发明专利]包括三维非易失性存储设备的系统及其编程方法有效
申请号: | 201310168094.9 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN103383861B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 全昺熙;郭东勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于存储系统的编程方法,所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器,所述三维非易失性存储器具有多级存储单元。该方法在三维非易失性存储器中的一行存储单元的编程期间使用随机存取存储器来不同地存储多比特数据的所选比特。 | ||
搜索关键词: | 包括 三维 非易失性 存储 设备 系统 及其 编程 方法 | ||
【主权项】:
一种用于存储系统的编程方法,所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器,所述三维非易失性存储器具有页缓冲器和沿行方向布置的多级存储单元,所述方法包括:接收外部提供的编程数据;确定所接收的编程数据是否是与存储单元相关联并且对应于多页数据的全部数据;以及当确定所接收的编程数据是全部数据时,通过绕过随机存取存储器将所述多页数据加载到页缓冲器,然后将所述多页数据的比特从页缓冲器同时编程到存储单元,来对所述编程数据编程,否则将所接收的编程数据存储在随机存取存储器中。
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