[发明专利]沟槽的形成方法

摘要

一种沟槽的形成方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；对所述硅衬底进行等离子体刻蚀，所述等离子体刻蚀包括：进行第一阶段刻蚀，在硅衬底中第一开口和第二开口，所述第一开口的宽度小于的第二开口的宽度；进行第二阶段氧化，在所述第一开口底部和侧壁形成第一氧化层、在第二开口的底部和侧壁形成第二氧化层；进行第三阶段刻蚀，刻蚀去除第一氧化层和部分厚度的第二氧化层；进行第四阶段刻蚀，形成第三开口和第四开口；重复循环第二阶段氧化、第三阶段刻蚀和第四阶段刻蚀的步骤，直至在硅衬底的第一区域中形成若干第一沟槽、在衬底的第二区域中形成若干第二沟槽。有效的消除刻蚀负载效应对刻蚀过程的影响。

主权项

一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；对所述硅衬底进行等离子体刻蚀，所述等离子体刻蚀包括：进行第一阶段刻蚀，在硅衬底的第一区域中形成若干第一开口，在硅衬底的第二区域中形成若干第二开口，所述第一开口的宽度小于的第二开口的宽度，第一区域中第一开口的密度大于第二区域中第二开口的密度；进行第二阶段氧化，在所述第一开口底部和侧壁形成第一氧化层、在第二开口的底部和侧壁形成第二氧化层，第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度；进行第三阶段刻蚀，刻蚀去除第一氧化层和部分厚度的第二氧化层；进行第四阶段刻蚀，沿第一开口刻蚀第一区域的硅衬底，形成第三开口，沿第二开口刻蚀剩余的第二氧化层和第二区域的硅衬底，形成第四开口；重复循环第二阶段氧化、第三阶段刻蚀和第四阶段刻蚀的步骤，直至在硅衬底的第一区域中形成若干第一沟槽、在衬底的第二区域中形成若干第二沟槽。