[发明专利]BiVO4/Bi2WO6复合半导体材料及其水热制备方法和其应用有效
| 申请号： | 201310150520.6 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103191725A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 缪菊红;徐健;仲鹏鹏;姜颖锋;雍海波 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | B01J23/31 | 分类号： | B01J23/31;C02F1/30;C02F1/28;C02F103/30 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 张立荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiVO4/Bi2WO6复合半导体材料及其水热制备方法和应用，其名义组分为：（1-x）BiVO4/xBi2WO6，其中x=5~95mol%。本发明所制备的复合半导体具有分散性好，晶体结构和形貌可控，比表面积大，对有机染料亚甲基蓝具有很好的吸附效果，且可见光响应活性高，化学稳定性好等优点。本发明制备工艺简单，原料易得，能耗低，环境友好，有利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | bivo sub bi wo 复合 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种BiVO4/Bi2WO6复合半导体材料，其特征是：材料中Bi2WO6所占摩尔百分比x为5~95 mol%，该复合半导体材料的制备过程如下：1）取NH4VO3和钨酸铵溶解在NaOH溶液中得到透明溶液A；其中V3+与W3+的摩尔比为(1‑x): x；V3+与W3+的摩尔数之和与NaOH的摩尔比为0.05~0.15； 2）取Bi(NO3)3·5H2O溶解在HNO3溶液中，Bi3+与步骤1）中V3+的摩尔比为（1+x）:（1‑x），磁力搅拌得到溶液B，Bi3+与HNO3的摩尔比为0.05~0.1；3）然后在不断搅拌的情况下将上述溶液A逐渐滴加到溶液B中，形成悬浊液，再用NaOH溶液调节体系pH值为2~9，继续搅拌1~3 h得到前驱物溶液；4）将前驱物溶液转移至反应釜中，反应釜体积填充度70%‑80%，放入烘箱中在150~180℃温度下水热处理12~24 h；反应完全后离心沉降，收集沉淀物并用去离子水和无水乙醇分别洗涤2~3次，至滤液的pH值为中性；在75~90℃条件下干燥4~8 h，得到BiVO4/Bi2WO6复合半导体材料；其中，上述步骤中所用HNO3溶液和NaOH溶液的摩尔浓度均为2~4 mol/L。
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