[发明专利]电平移位电路及进行正、负压电平移位的方法有效

专利信息
申请号: 201310145485.9 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103208988B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 杨光军;胡剑 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 吴靖靓,骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种电平移位电路及进行正、负压电平移位的方法,所述电平移位电路包括锁存单元和驱动单元。所述锁存单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;所述驱动单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。本发明技术方案提供的电平移位电路及进行正、负压电平移位的方法,能够减小电路面积、提高电路集成度和降低电路成本。
搜索关键词: 电平 移位 电路 进行 压电 平移 方法
【主权项】:
一种利用电平移位电路进行正压电平移位的方法,其特征在于,所述电平移位电路包括:锁存单元,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极相连并作为第一电源端,漏极与所述第一NMOS管的漏极相连并作为所述电平移位电路的第一输出端,栅极与所述第一NMOS管的栅极相连并作为所述电平移位电路的第二输出端;所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连并连接至所述第二输出端,栅极与所述第二NMOS管的栅极相连并连接至所述第一输出端;所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极相连并作为第二电源端;驱动单元,包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;所述第三PMOS管的栅极作为第一信号端,源极作为第三电源端,漏极连接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极作为第二信号端,源极连接所述第一输出端;所述第四PMOS管的栅极作为第三信号端,源极连接所述第三电源端,漏极连接所述第四NMOS管的漏极;所述第四NMOS管的栅极作为第四信号端,源极连接所述第二输出端;所述方法包括:执行置位操作,所述置位操作包括:施加第一信号至所述第一信号端,施加第二信号至所述第二信号端,施加第三信号至所述第三信号端,施加第四信号至所述第四信号端,其中,所述第一信号和所述第四信号均为正压高电平信号,所述第一信号的幅度小于所述第四信号的幅度,所述第二信号和所述第三信号均为零压低电平信号;施加第一电压至所述第一电源端,施加第二电压至所述第二电源端,施加第三电压至所述第三电源端,其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值,所述第三电压的电压值与所述第一电压的电压值相等;所述置位操作之后执行电平移位操作,所述电平移位操作包括:保持所述第一信号、第二信号、第三信号和第四信号输入所述第一信号端、第二信号端、第三信号端和第四信号端,升高所述第一电压的电压值至所述第二输出端所需输出的预定值,保持所述第二电压的电压值或升高所述第二电压的电压值至与所述第三电压的电压值相等,保持所述第三电压的电压值。
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