[发明专利]一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201310141267.8 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103213976A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张云;付东升;杨阳 | 申请（专利权）人： | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法，包括：选用一种衬底；在催化剂粉体中加入有机胶粘剂并研磨成浆料；将催化剂浆料旋涂在衬底表面并干燥；将旋涂后的衬底通入气态CX4，高温进行石墨烯薄膜生长；还原气氛下将反应后的衬底高温退火，即完成在衬底表面直接制备石墨烯的过程。该方法得到的石墨烯产品具有较低的密度，较高的电导率，有望应用于平板显示、晶体管、微电子和光电子器件等多个技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 表面 直接 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1）选用一种衬底；2）在催化剂粉体中加入有机胶粘剂并充分研磨成催化剂浆料；3）将催化剂浆料旋涂在衬底表面并室温干燥；4）将旋涂后的衬底放入高温气氛炉中抽真空，之后通入气态CX4，将温度升至石墨烯生长温度进行石墨烯薄膜的生长；5）在还原气氛下将反应后的衬底进行高温退火处理，即完成在衬底表面直接制备石墨烯的过程。
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