[发明专利]一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310141259.3 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103274443A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 汪阳;郁可;李守川;尹海宏;宋长青;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四角 树叶 cu sub zno 复合 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四角树叶状Cu2O‑ZnO复合纳米结构半导体材料，其特征在于，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O‑ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O‑ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面；其中，所述Cu2O微米颗粒中心位置具有凹陷，由所述凹陷处向互相垂直的四个方向生长出叶片状之结构的角，其表面具有树叶脉络层状结构。
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