[发明专利]一种分布式布拉格反射镜结构的制备方法无效
| 申请号： | 201310134402.6 | 申请日： | 2013-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103236647A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 翟天瑞;林远海;张新平;刘红梅;王丽 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种分布式布拉格反射镜结构的制备方法，属于纳米光电子材料及器件技术领域。通过激光辐照蒸镀有金属窄条的有机半导体高分子材料，使金属窄条两侧的高分子发生交联反应，在金属窄条的两侧形成分布式布拉格反射镜激光腔结构的一种新的制备技术。本发明方法具有成本低、效率高，调节方便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布式 布拉格 反射 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于激光干涉诱导交联反应的分布式布拉格反射镜结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将有机半导体高分子材料溶解于有机溶剂中，制成浓度为10‑150mg/ml的有机半导体溶液；2)以500‑4000rpm的转速，以转速为2000rpm时为最佳，将有机半导体高分子材料溶液旋涂在基底上，获得厚度均匀的有机半导体高分子薄膜，薄膜的厚度为50‑200nm；3)在有机半导体高分子薄膜上蒸镀一层厚度为200‑400nm金属窄带，金属窄带只覆盖有机半导体高分子薄膜的一部分，在金属窄带的两侧还有没被覆盖的连续的有机半导体高分子薄膜；4)将激光干涉光场从金属窄带所在表面入射，与金属窄带两侧的连续的有机半导体高分子薄膜作用，使高分子材料发生交联反应，干涉图案亮条纹区的有机半导体高分子发生交联反应导致折射率增大，而干涉图案暗条纹区的有机半导体高分子不发生变化，形成分布式布拉格反射镜激光腔结构。
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