[发明专利]可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310132737.4 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103387682A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 张志成;谭少博 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08J3/24;C08L27/16;C08L27/12 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入P(VDF-CTFE),同时加入溶剂和催化剂搅拌反应;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入盐酸烧杯中,聚合物析出;步骤三、将步骤二得到的聚合物用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶解,加入自由基引发剂过氧化苯甲酰(BPO),待溶剂挥发完全后,将附有聚合物薄膜的玻璃片加入烘箱中固化,得到交联的聚合物薄膜;步骤四、将步骤三中得到的交联后的聚合物薄膜制成哑铃状试样,将这些试样在万能试验机上拉伸,这样就得到耐高电压的PVDF塑料薄膜,本发明解决氟聚合物低温拉膜困难的问题;同时,交联也有利于薄膜材料的微晶化,从而有助于击穿场强的提高。 | ||
搜索关键词: | 交联 电压 高储能聚偏氟 乙烯 塑料薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入原料聚(偏氟乙烯‑三氟氯乙烯)P(VDF‑CTFE),同时加入溶剂,聚(偏氟乙烯‑三氟氯乙烯)P(VDF‑CTFE)与溶剂的质量比为1:100‑40:100,待聚合物充分溶解后,加入催化剂,催化剂具体加入量根据所需要消去的量而定,在50°C下继续搅拌反应16‑24小时;所述的催化剂是叔胺类吸酸剂,包括:三乙胺、三丁胺、六次甲基亚胺或N,N‑二甲基苯胺;所述溶剂为氟聚合物的良溶剂,包括四氢呋喃、丙酮、N,N‑二甲基甲酰胺、N‑甲基吡咯烷酮或二甲基亚砜;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入盛有pH为3的盐酸的烧杯中,盐酸与步骤一中所得到溶液的体积比3:1‑10:1,搅拌1小时后,聚合物析出,将所得聚合物用甲醇反复洗涤,在不高于60°C条件下真空干燥至恒重得到目标产物;步骤三、将步骤二得到的聚合物用N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)溶解,聚合物与溶剂N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)的质量比为3:100‑6:100,待聚合物充分溶解后,加入自由基引发剂过氧化苯甲酰(BPO),引发剂的量为聚合物的1‑6wt%,磁力搅拌待引发剂溶解后,将聚合物溶液涂在干净的玻璃板上,并将其放在50‑90°C的加热板上,待溶剂挥发完全后,将附有聚合物薄膜的玻璃片加入150‑200°C的烘箱中固化4‑24小时,得到交联的聚合物薄膜;步骤四、将步骤三中得到的交联后的聚合物薄膜制成哑铃状试 样,将这些试样在万能试验机上以5‑50mm/min的拉伸速率在25‑60°C的温度下进行拉伸,拉伸倍数根据需要而定,这样就得到耐高电压的PVDF塑料薄膜。
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