[发明专利]一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法有效
| 申请号： | 201310130643.3 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103204507B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李绍光;顾玉山 | 申请（专利权）人： | 李绍光;顾玉山 |
| 主分类号： | C01B33/029 | 分类号： | C01B33/029 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110013 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法，采用工业硅粉和无水甲醇(或乙醇)作原料，其特征在于它包括如下步骤(1)用硅粉与无水甲醇或乙醇反应制取三甲(乙)氧基硅烷；(2)使三甲(乙)氧基硅烷发生歧化反应制取甲硅烷；(3)用吸附和冷却方法分离、提纯甲硅烷；(4)使用甲硅烷热分解制取太阳能级多晶硅。本发明完全摒弃了金属氢化物法、三氯氢硅歧化反应法和硅镁合金法的工艺路线，与现有的需要使用卤族元素化合物即氟化物或氯化物参与反应的上述硅烷法不同，可以有效地避免卤族元素化合物对设备的腐蚀和对环境的污染。而甲硅烷热分解与三氯氢硅氢还原相对比，两者所能得到的硅比率相差很大，故其经济指标也远比西门子法要优，具有极大的社会效益和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制取 太阳 能级 硅烷 | ||
【主权项】：
一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法，采用工业硅粉和无水甲醇或乙醇作原料，其特征在于它包括如下工艺步骤：(1)用硅粉与无水甲醇或乙醇在纳米级氢氧化铜催化剂的作用下发生反应制取三甲(乙)氧基硅烷：Si+3ROH＝＝＝Si(OR)3H+H2↑(2)使三甲(乙)氧基硅烷在金属硝酸盐溶液中发生歧化反应制取甲硅烷：4Si(OR)3H＝＝＝SiH4+3Si(OR)4(3)用吸附和冷却方法分离、提纯甲硅烷；(4)使用甲硅烷热分解制取太阳能级多晶硅：SiH4＝＝＝Si+2H2↑(上述各式中的R代表烷基，即甲基CH3和乙基C2H5)。
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