[发明专利]绝缘层形成方法有效
| 申请号： | 201310129648.4 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103512B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘层形成方法，所述绝缘层形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成PETEOS层，并对所述PETEOS层执行CMP工艺；对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，所述等离子体处理所使用的离子为氧离子；在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。通过对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，去除了PETEOS层表面的碳残留，从而避免了无定形碳层上形成凸起，提高了无定形碳层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成PETEOS层，并对所述PETEOS层执行CMP工艺；对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理以去除碳残留，所述等离子体处理所使用的离子包括氧离子；在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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