[发明专利]电感耦合等离子体装置有效
| 申请号： | 201310128505.1 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103485A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 梁洁;罗伟义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01F38/14;H01F27/28;H01F27/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室，用于与放置在其中的晶片进行等离子体处理反应；淋气头，设于反应腔室上部，其包括至少一进气口，用于向反应腔室通入反应气体；至少一组电感耦合线圈，临近于反应腔室设置，用于通过匹配器外接射频电源以向反应腔室施加射频功率；以及屏蔽装置，临近于电感耦合线圈设置，用于将射频功率屏蔽于第一空间内以作用于反应气体而产生等离子体，等离子体经自由扩散通过第二空间与晶片进行反应；其中，第一空间、第二空间分别位于反应腔室内，呈上下分布并相互连通。本发明使得等离子体中的电子温度明显降低，从而显著弱化了物理性刻蚀反应；并有利于实现反应腔室中等离子体的均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 耦合 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室，用于与放置在其中的晶片进行等离子体处理反应；淋气头，设于所述反应腔室上部，其包括至少一进气口，用于向所述反应腔室通入反应气体；至少一组电感耦合线圈，临近于所述反应腔室设置，用于通过匹配器外接射频电源以向所述反应腔室施加射频功率；以及屏蔽装置，临近于所述电感耦合线圈设置，用于将所述射频功率屏蔽于第一空间内以作用于所述反应气体而产生等离子体，所述等离子体经自由扩散通过第二空间与所述晶片进行反应；其中，所述第一空间、第二空间分别位于所述反应腔室内，呈上下分布并相互连通。
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