[发明专利]一种单晶锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及制备方法无效

专利信息
申请号: 201310123460.9 申请日: 2013-04-10
公开(公告)号: CN103225104A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 袁斌;徐锦城;曾美琴;高岩;朱敏 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C30B7/12 分类号: C30B7/12;C01G23/047;B82Y40/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 蔡茂略
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种单晶锐钛矿二氧化钛纳米管阵列及制备方法。该方法先采用电弧熔炼法制备出TiNbZr合金;并将基体合金打磨、清洗和烘干;把烘干好的基体合金为阳极,Pt片为阴极进行阳极氧化,电压为10~100V,室温下阳极氧化0.5~20小时;然后将制备出的纳米二氧化钛纳米管阵列连同基体合金一同放入马弗炉中在空气下进行热处理;最后采用氢氟酸蒸汽除去非晶层和基体合金,得到单晶锐钛矿二氧化钛纳米管阵列。本发明的单晶锐钛矿二氧化钛纳米管阵列具有良好的细胞相容性及可见紫外光吸收性能。本发明制备方法可控性强、效率高、操作简单,易实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 单晶锐钛矿二 氧化 纳米 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种单晶锐钛矿二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)采用电弧熔炼法制备出TiNbZr合金,所述TiNbZr合金中各元素的摩尔比为Ti∶Nb∶Zr=(100‑x‑y)∶x∶y,其中x为18~35,y为2~14;2)将TiNbZr合金加工成薄片,依次采用水磨砂纸进行表面机械打磨,依次用蒸馏水、丙酮和乙醇超声波清洗薄片,接着在蒸馏水中漂洗干净备用;3)在电解液中,将步骤2)所得TiNbZr合金薄片为阳极,高纯Pt片作为阴极进行阳极氧化,电压为10~100V,室温下阳极氧化0.5~20小时,即可在TiNbZr合金薄片表面获得非晶二氧化钛纳米管阵列;所述电解液为H3PO4和NaF的混合溶液,H3PO4溶度浓度为0.5M~5M,NaF的质量含量为0.5~5%;4)将步骤3)中获得的非晶二氧化钛纳米管阵列连同TiNbZr合金基底一同放入马弗炉中,在空气氛围下进行热处理,随炉冷却后获得半非晶半单晶锐钛矿的二氧化钛纳米管阵列;5)将步骤4)中获得半非晶半单晶锐钛矿的二氧化钛纳米管阵列暴露在氢氟酸蒸汽中0.5~10h,以除掉表面的非晶层和TiNbZr合金基体,制得单晶锐钛矿的二氧化钛纳米管阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310123460.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top