[发明专利]具有单独读取和写入路径的磁性隧道结装置有效
| 申请号： | 201310122647.7 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103280235A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 朱晓春;顾时群;李霞;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有单独读取和写入路径的磁性隧道结装置。在一实施例中，揭示一种装置，其包含磁性隧道结（MTJ）结构。所述装置还包含耦合到所述MTJ结构的读取路径（102）和耦合到所述MTJ结构的写入路径（104）。所述写入路径（104）与所述读取路径（102）分离。所述装置本质上包括一对串联耦合的MTJ结构（106、108），借此所述读取路径（102）仅包括所述MTJ结构中的一者（108）。这提供了组合的改进的读取裕度和改进的写入裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单独 读取 写入 路径 磁性 隧道 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：磁性随机存取存储器（MRAM）单元阵列；以及存储器控制逻辑电路，其适于激活字线并选择性地激活读取位线和写入位线中的一者以存取所述阵列的选定单元。
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