[发明专利]任意切割式高压LED器件的制作方法无效
| 申请号： | 201310121433.8 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103236474A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 詹腾;王国宏;郭金霞;李璟;伊晓燕;刘志强;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种任意切割高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上形成半导体外延结构，该半导体外延结构包括衬底、N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层；步骤2：对所述半导体外延结构表面图形化形成多个重复的发光芯片单元，蚀刻所述半导体外延结构至衬底表面形成隔离槽，所述隔离槽将所述每个发光芯片子单元隔离；步骤3：在每个发光芯片子单元的侧壁形成绝缘介质层；步骤4：蒸镀金属，并图形化形成p和n电极以及互连线，互连线将发光芯片子单元电互连；步骤5：在发光芯片子单元之间形成划片沟槽；沿着划片沟槽将衬底和半导体外延结构分割成多个芯片单元，每个芯片单元包含不同数量的发光芯片子单元，所述芯片单元内的发光芯片子单元之间通过互连线串联。 | ||
| 搜索关键词： | 任意 切割 高压 led 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种任意切割高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上形成半导体外延结构，该半导体外延结构包括衬底、N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层；步骤2：对所述半导体外延结构表面图形化形成多个重复的发光芯片单元，蚀刻所述半导体外延结构至衬底表面形成隔离槽，所述隔离槽将所述每个发光芯片子单元隔离；步骤3：在每个发光芯片子单元的侧壁形成绝缘介质层；步骤4：蒸镀金属，并图形化形成p和n电极以及互连线，互连线将发光芯片子单元电互连；步骤5：在发光芯片子单元之间形成划片沟槽；沿着划片沟槽将衬底和半导体外延结构分割成多个芯片单元，每个芯片单元包含不同数量的发光芯片子单元，所述芯片单元内的发光芯片子单元之间通过互连线串联。
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